知识产权情况:
专利号:200710035810.0
合作方式:面议。
联系方式:
联系部门:中南大学科研部
电话:0731-88836342 88879272
E-mail:kjckfb@ csu.edu.cn
本文网址:http://www.cscip.cn/gaoxiaokeyanchengguochi/1222.html成果拥有单位:中南大学
成果简介:
一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法,包括以下步骤:将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂,加入Si粉,混合均匀后,加热挥发除去有机溶剂;将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解,最高裂解温度1000~1350℃,升温速度0.5~10℃/min;测定复合粉末的碳与硅的含量,得出复合粉末中SiC和Si的量,按摩尔比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉,混合,反应热压制备;热压工艺为:升温速度20~100℃/min,热压温度1450~ 1700℃,压力20~50MPa,保温30~120min,真空或惰性气体保护。本发明材料经XRD检测表明,仅含MoSi2和SiC两相。本发明材料是在不降低MoSi2抗高温氧化性前提下,最大限度地改善了MoSi2基复合材料的室温和高温力学性能。
知识产权情况:
专利号:200710035810.0
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