用于铜互连的Ta-AI-N扩散阻挡层薄膜及其制备

成果拥有单位：中南大学

成果简介：

本发明公开了一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta-Al-N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta-N或Ta/Ta-N阻挡层相比，本发明的Ta-Al-N 薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。