铝碳化硅电子封装材料及构件

成果简介

铝碳化硅电子封装材料具有热导率高、密度小、膨胀系数可调、易于近净成形复杂构件、生产成本较低等特点，已广泛用作CPU盖板、大功率高可靠IGBT模块底板、超高亮度LED底板和微波功率组件管壳，在微电子器件、光电器件、电力电子器件等领域具有非常广泛的应用前景，是第三代热管理材料的代表。

该成果采用预制件成型加液相压力浸渗技术制备铝碳化硅电子封装材料及构件。其主要技术参数如下：

1.碳化硅体积分数：30～74%可调；

2.膨胀系数：20℃-125℃在(6.2～13.5)×10-6/℃间可调；

3.室温热导率：＞150W/m.K，最高超过260W/m.K；

4.构件尺寸：Lmax＞250mm，Wmax>250mm；最薄可至0.5mm；

5.气密性：＜5×10-9；

6.构件机械加工精度：铣削加工尺寸±0.05mm；平面度＜0.05mm；平行度＜0.05mm；粗糙度：磨削加工＜0.16mm；铣削加工＜0.8mm；

7.化学镀镍：镀层经450℃×2min考核，不起泡，不变色。

该成果获授权发明专利1项、实用新型专利2项，整体技术处于国内先进水平。目前已建立一条年产铝碳化硅封装基片3万件、年产管壳1万件的中试生产线，已提供4000余件铝碳化硅基片和管壳供国内有关单位使用。国内外交通轨道用的高可靠性IGBT模块基板年需求量在100万件以上，市场前景非常广阔。